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產(chǎn)品分類(lèi)
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
三菱IPM模塊PM800HSA060
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3744
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3596
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3499
PM300CLA120三菱IPM模塊，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
6803
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3680
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3354
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
2023-12-25
經(jīng)銷(xiāo)商
4506
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